1428998173_samsung-electron_logoВ 2015 году капитальные инвестиции Samsung Electronics в полупроводниковое создание достигнут рекордной отметки — 15 млрд баксов.

Теснее 6-ой год подряд южнокорейский деятель инвестирует в формирование полупроводникового изготовления более всех в мире, — докладывает Digitimes Research. Для сопоставления: главной соперник Samsung на базаре микросхем памяти DRAM, фирма SK Hynix сбережет капитальные инвестиции приблизительно на прошлогоднем уровне — 5,1 миллиардов баксов.

При данном на выпуск микросхем памяти DRAM приходится 3,8 млр баксов. Фирма Samsung выделяет на данные цели 6,4 миллиардов баксов. Подчеркнем, будто отмеченные затраты 2-ух южнокорейских изготовителей сочиняют приблизительно 75% всех финансовложений в создание микросхем памяти DRAM в мире.

Приблизительно 4,7 миллиардов баксов Samsung выделяет на усиление выпуска флэш-памяти NAND. Основным образом, данные средства предусмотрены для фабрики в Китае, коия практикуется на выпуске флэш-памяти с большой компоновкой.

Капитальные издержки фирмы Samsung на выпуск закономерных микросхем в 2015 году повысятся сообразно сопоставлению с прошедшим годом с 2,9 по 4 миллиардов баксов. Главная дробь средств сходит на продолжение фабрики Line-17 в Корее и предстоящее усиление 14-нанометрового изготовления в USA.