1431518010_tranzistoryКомпания STMicroelectronics разработала революционно новые MOSFET транзисторы SCT30N120 и SCT20N120, параметры которых выводят эту линейку компонентов на совершенно новый уровень.
Современный рынок силовой электроники с каждым годом все больше отдаёт предпочтение компонентам, выполненным на карбиде кремния (SiC). Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs), а именно:
  • электрическая прочность SiC в 10 раз выше, чем у Si и GaAs;
  • удельное сопротивление материала SiC, значительно ниже;
  • высокая радиационная стойкость;
  • высокая теплопроводность компонентов на SiC;
  • крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещённой зоны;
  • высокое быстродействие;
  • высокие допустимые рабочие температуры;
  • сверхмалый заряд обратного восстановления антипараллельного диода.
STMicroelectronics не прошла мимо этого материала. Это одна из немногих компаний, которая ведет разработки MOSFET транзисторов на основе карбида кремния.
Высокая эффективность работы при мощности до 5 кВт и на частотах 100 кГц, широкий диапазон рабочих характеристик, простота схемы управления и уменьшенные габариты при сопоставимых параметрах по сравнению с аналогичными компонентами, позволяют использовать MOSFET транзисторы на карбиде кремния при разработке электроприводов, в энергосетях «smart-grid», в инверторах электромобилей, в системах солнечной и ветровой энергетики.
Основные особенности новые MOSFET транзисторов STMicroelectronics:
  • низкие потери как при нормальных температурах, так и при высоких (до 175 °С);
  • высокие рабочие температуры до 200°С;
  • уменьшенные габариты (корпусов) при аналогичных параметрах;
  • простота схемы управления;
  • высокая эффективность работы при частотах до 100 кГц и мощности до 5 кВт в отличии от IGBT и JFET.